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Micron Document

<!DOCTYPE html>

<title>Lambda-Diode</title>

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<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Lambda-Diode</span></h1>

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<p>Eine <b>Lambda-Diode</b> ist eine elementare <a href="Elektrische_Schaltung" title="Elektrische Schaltung">elektrische Schaltung</a> mit zwei Anschlüssen, welche aus zwei <a href="Sperrschicht-Feldeffekttransistor" title="Sperrschicht-Feldeffekttransistor">Sperrschicht-Feldeffekttransistoren</a> (JFETs) besteht und ähnlich wie eine <a href="Tunneldiode" title="Tunneldiode">Tunneldiode</a> in ihrer <a href="Kennlinie" title="Kennlinie">Kennlinie</a> einen <a href="Differentieller_Widerstand" title="Differentieller Widerstand">differentiellen negativen Widerstand</a> aufweist. In nebenstehenden Kennlinie, die den Strom <i>I</i><sub>D</sub> durch die Lambda-Diode als Funktion der anliegenden Spannung <i>U</i><sub>D</sub> darstellt, ist dies im rot markierten Kennlinienabschnitt der Fall. Die Bezeichnung leitet sich von der Form der I-U-Kennlinie ab, welche grob dem griechischen Buchstaben λ <i>(<a href="Lambda" title="Lambda">Lambda</a>)</i> ähnelt.<sup id="cite_ref-1" class="reference"><a href="#cite_note-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Anwendungsbereiche">Anwendungsbereiche</h2></div>

<p>Im Gegensatz zu Tunneldioden, deren differentieller negativer Widerstand im Bereich von 70 mV bis 350 mV liegt, weisen Lambda-Dioden einen differentiellen negativen Widerstand über den Bereich von 1,5 V bis 6 V auf. Einsatzbereiche liegen, wie bei Tunneldioden, primär im Bereich von <a href="Oszillator" title="Oszillator">Oszillatoren</a>, wo der differentielle negative Widerstand zur Schwingungserzeugung genutzt wird. Durch den größeren Aussteuerungsbereich bieten sie schaltungstechnische Vorteile gegenüber Tunneldioden. Da es sich aber um keinen quantenmechanischen Tunneleffekt handelt, sind sie nicht so schnell und nicht bis zu so hohen Frequenzen einsetzbar wie Tunneldioden.

</p><p>Weitere Anwendungsbereiche sind stromsparende <a href="Digitaltechnik" title="Digitaltechnik">Digitalschaltungen</a>, basierend auf Kombinationen von modifizierten Lambda-Dioden. Damit können, ähnlich wie bei <a href="CMOS" class="mw-redirect" title="CMOS">CMOS</a>-Technik mit <a href="Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor" title="Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor">Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren</a> (MOSFETs) mit JFETs <a href="Logikgatter" title="Logikgatter">Logikgatter</a> wie <a href="Und-Gatter" title="Und-Gatter">Und-Gatter</a>, <a href="Oder-Gatter" title="Oder-Gatter">Oder-Gatter</a> und <a href="Nicht-Gatter" title="Nicht-Gatter">Nicht-Gatter</a> realisiert werden.<sup id="cite_ref-2" class="reference"><a href="#cite_note-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Da sich allerdings MOSFETs in <a href="Integrierte_Schaltung" class="mw-redirect" title="Integrierte Schaltung">integrierten Schaltungen</a> mit geringerem Platzbedarf integrieren lassen, weisen JFETs in diesem Anwendungsbereich nur eine geringe praktische Bedeutung auf. Weiterhin können auch <a href="Bistabile_Kippstufe" class="mw-redirect" title="Bistabile Kippstufe">bistabile Kippstufen</a> für Speicherzellen mittels Lambda-Dioden realisiert werden.<sup id="cite_ref-3" class="reference"><a href="#cite_note-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Neben der Version mit je einem N-Kanal und einem P-Kanal-JFET, wie in nebenstehender Abbildung dargestellt, können Lambda-Dioden auch als eine Kombination von einem N-Kanal-JFET mit einem <a href="Bipolartransistor" title="Bipolartransistor">PNP-Bipolartransistor</a> und zwei <a href="Widerstand_(Bauelement)" title="Widerstand (Bauelement)">Widerständen</a> realisiert werden.<sup id="cite_ref-4" class="reference"><a href="#cite_note-4"><span class="cite-bracket">[</span>4<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>

<li id="cite_note-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-1">↑</a></span> <span class="reference-text">G. Kano: <i>The Lambda diode: versatile negative-resistance device</i>, in <i>Electronics</i>, Nr. 48 (13), 1975, Seite 105 bis 109</span>

</li>

<li id="cite_note-2"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-2">↑</a></span> <span class="reference-text"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.ee.bgu.ac.il/~kushnero/ternary/With%20Lambda%20Transistors/Digital%20devices%20based%20on%20lambda%20diodes.pdf">Digital devices based on complementary junction field effect transistors</a> (PDF; 807 kB)</span>

</li>

<li id="cite_note-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-3">↑</a></span> <span class="reference-text">US-Patent Nr. 4376986: <i>Double Lambda diode memory cell</i></span>

</li>

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</style><a rel="nofollow" class="external text" href="https://web.archive.org/web/20180128032426/http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/Oscillations%20and%20Regenerative%20Amplification%20using%20Negative%20Resistance%20Devices.pdf">Oscillations and Regenerative Amplification using Negative Resistance</a> (<span class="webarchiv-memento"><a href="Webarchivierung#Begrifflichkeiten" title="Webarchivierung">Memento</a></span> des <style data-mw-deduplicate="TemplateStyles:r250917974">

/* start https://de.wikipedia.org/ */

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</style><span class="dewiki-iconexternal"><a class="external text" href="https://redirecter.toolforge.org/?url=http%3A%2F%2Fwww.zen22142.zen.co.uk%2FTheory%2Fneg_resistance%2FOscillations%2520and%2520Regenerative%2520Amplification%2520using%2520Negative%2520Resistance%2520Devices.pdf">Originals</a></span> vom 28. Januar 2018 im <i><a href="Internet_Archive" title="Internet Archive">Internet Archive</a></i>) <small class="archiv-bot"><span class="wp_boppel noviewer" aria-hidden="true" role="presentation"><span typeof="mw:File"><span title="i"></span></span></span> <b>Info:</b> Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.</small><span style="display:none"><a rel="nofollow" class="external text" href="http://IABotmemento.invalid/http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/Oscillations%20and%20Regenerative%20Amplification%20using%20Negative%20Resistance%20Devices.pdf">@1</a></span><span style="display:none"><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/Oscillations%20and%20Regenerative%20Amplification%20using%20Negative%20Resistance%20Devices.pdf">@2</a></span><span style="display:none">Vorlage:Webachiv/IABot/www.zen22142.zen.co.uk</span> (PDF; 362 kB)</span>

</li>

</ol></div><div><div class="zim-footer">

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